SIS778DN-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SIS778DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 52W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.5nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Body) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
SIS778DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIS778DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIS778DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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